삼성전자, 10나노 D램 반도체 세계 최초 양산

삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 세계 최초로 양산하고 있다. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 세계에서 처음으로 10나노 D램 반도체 양산 체제에 돌입했다.

삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 양산하고 있다고 5일 밝혔다.

삼성전자는 지난 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한데 이어 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한번 반도체 미세공정의 한계를 돌파하며 메모리 반도체 기술의 새로운 이정표를 세웠다.

이번 제품에는 초고집적 설계 기술과 사중 포토 노광 기술, 초균일 유전막 형성 기술 등 3가지 혁신 기술을 반영했다. 사중 포토 노광기술이란 초고집적 셀(정보 저장의 최소 단위)을 만들기 위해 단 한 번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술이다.

이들 기술의 반영으로 차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였다.

초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자 개발한 차세대 반도체 설계 기술로 현재 양산 중인 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다.

10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 제품보다 동작 속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있다. 또 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있어 차세대 기업용 서버 시장에 최적의 솔루션을 제공한다.

특히 미세공정 한계의 극복을 위해 낸드플래시 양산에 적용한 사중 포토 노광 기술을 업계 최초로 D램에도 구현해 차세대 10나노급(1y) D램도 적기 양산할 수 있는 기반 기술을 확보했다.

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여할 것”이라고 밝혔다.

향후 삼성전자는 PC용 4GB(기가바이트) DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB 모듈까지 풀 라인업을 구축하고, 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 10나노급 생산 비중을 지속적으로 확대해 프리미엄 D램 시장의 성장세를 견인할 계획이다.

정백현 기자 andrew.j@