이어 “하반기 평택 사업장 상층부 일부 케파 활용해서 10나노급 D램 생산 예정”이라면서 “11라인은 CIS (CMOS 이미지센서)로 전환하고 공정전환 과정에서 비트 손실을 보완하는 수준에서 진행할 것”이라고 설명했다.
삼성전자는 “이미지센서 전환은 11라인 일부를 CIS로 전환하는것 외에 13라인의 추가적인 캐파 전환은 결정된 바 없다”고 말했다.

뉴스웨이 한재희 기자
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