이재용 부회장, 열흘만에 평택2라인 메모리 투자···낸드 증설 박차

내년 하반기 2라인 첨단 V낸드 양산

“중장기 낸드 수요 확대 대응”

4개월 만에 해외출장 마치고 중국에서 입국하는 이재용 삼성전자 부회장. 사진=이수길 기자 [e-mail]

삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시(메모리 반도체) 생산라인을 구축하는 투자를 단행한다. 이번 투자는 이재용 부회장이 지난달 21일 평택사업장 내 파운드리(반도체 위탁생산) V2라인 투자 계획을 발표한지 열흘 만에 나왔다.

1일 삼성전자는 삼성전자가 평택2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자 관계자는 “AI(인공지능), IoT(사물인터넷) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하기 위한 것”이라고 설명했다.

낸드는 클라우드 서비스 강화로 인한 반도체디스크(SSD) 수요 확대, PC 고용량화, 5G(5세대) 이동통신 도입 등으로 수요가 지속 증가하고 있다. 삼성전자는 최근 ‘비대면(언택트)’ 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되자 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다.

2015년 삼성물산·제일모직 합병 이후 경영권 승계를 둘러싼 강도 높은 검찰 수사가 1년6개월간 진행 중이지만 이 부회장의 반도체 투자 발표는 계속되고 있다.

지난달 18일 중국 시안 반도체 공장을 찾은 이 부회장은 “새로운 성장동력을 만들기 위해서는 다가오는 거대한 변화에 선제적으로 대비해야 한다. 시간이 없다. 때를 놓치면 안된다”고 말하는 등 반도체 사업의 지속적인 투자 의지를 보였다.

삼성전자는 2014년부터 시안 반도체 공장에서 V낸드를 양산하고 있다. 시안 공장에 구축한 1,2라인은 해외 유일한 메모리 반도체 생산기지로 2021년까지 총 150억 달러(약 18조원)를 들여 증설 투자가 진행 중이다.

평택캠퍼스 P2라인 전경. 사진=삼성전자 제공

지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 지난 18년간 독보적인 제조·기술 경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있다. 2013년 7월 1세대(24단) V낸드 양산을 시작으로 현재 6세대 제품까지 기술력이 진화했다. 지난해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다.

삼성전자는 국내 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이다. 국내외 사업장의 균형 있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장 리더십을 더욱 강화한다는 방침이다.

최철 메모리사업부 부사장(전략마케팅실)은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질 없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것”이라고 말했다.