전기·전자
SK하이닉스 안현 "또 다른 메모리 병목 시대"···3D 적층 D램·HBF로 돌파
SK하이닉스가 3D 적층 D램, 고대역폭플래시(HBF), 차세대 스토리지 기술을 통해 AI 메모리 시장을 새롭게 주도한다. HBM의 기술력을 토대로 새로운 메모리 계층을 구축하고 데이터 이동 효율성을 높여 AI 인프라의 성능을 최적화할 계획이다. 특히 3D 적층 D램은 연산장치 위에 직접 적층하여 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소모를 줄이는 것이 특징이다.





