전기·전자

"수직 쌓기로 한계 극복"···SK하이닉스, '차세대 D램 로드맵' 공개

SK하이닉스가 차세대 D램 개발을 위한 중장기 기술 로드맵을 공개했다. 4F² VG 플랫폼 및 3D D램 등 첨단 기술을 바탕으로, 10나노 이하 미세 공정의 한계를 구조·소재 혁신으로 돌파하고자 한다. 이로써 경쟁력과 성장 동력을 확보할 계획이다.

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삼성전자, 美에 차세대 3D D램 연구개발 조직 신설

삼성전자가 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 연구개발 조직을 신설해 초격차 기술 경쟁력 확보에 나섰다. 28일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 최근 DSA에 차세대 3차원(3D) D램 개발에 주력할 조직을 만들었다. 이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 개발할 계획이다. 실리콘밸리 우수 인력을 적극 영입하고 다양한 반도체 생태계와도 협력할 예정이다. 현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조다. 공정