삼성전자, 美에 차세대 3D D램 연구개발 조직 신설

CES 2024가 열리는 미국 라스베이거스 컨벤션 센터에 위치한 삼성전자 전시관에서 삼성전자 모델이 미디어 파사드를 소개하는 모습. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 연구개발 조직을 신설해 초격차 기술 경쟁력 확보에 나섰다.

28일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 최근 DSA에 차세대 3차원(3D) D램 개발에 주력할 조직을 만들었다.

이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 개발할 계획이다. 실리콘밸리 우수 인력을 적극 영입하고 다양한 반도체 생태계와도 협력할 예정이다.

현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조다. 공정 선폭이 작아지며 셀 면적 축소도 한계에 직면하고 있다.

이에 업계는 같은 면적에 집적도를 높여 성능이 더 뛰어난 3D D램 개발에 사활을 걸고 있다.

셀을 수평으로 눕혀 위로 쌓아 올리는 방식과 셀 구조를 2단으로 쌓는 버티컬 방식 등을 활용해 차세대 기술 선점 경쟁을 벌이는 중이다.

앞서 삼성전자는 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서 3D D램 연구성과가 담긴 논문을 발표했다. 3D D램의 실제 반도체로 구현한 상세한 이미지를 제시하며 기술 개발 경쟁에서 앞서나가는 모습을 보였다.

삼성전자는 지난 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 하겠단 계획이다.

지난해 10월 '메모리 테크 데이' 행사에서 삼성전자는 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입할 계획을 밝히기도 했다.

칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 극복하고 성능도 향상해 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(Gb) 이상 늘린다는 방침이다.