238단 제조 후 1년 반 만에 321단 개발
이번 제품은 TLC(Triple Level Cell) 기반으로 제작됐다. 낸드플래시는 데이터 저장 방식에 따라 셀 당 비트가 다르게 저장되는데 셀 하나에 1비트를 저장하면 SLC(Single Level Cell), 2비트를 저장하면 MLC(Multi Level Cell)로 구분한다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 것이다.
321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 또 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 AI향 저전력 고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다.
SK하이닉스는 "당사는 300단을 넘어서는 낸드도 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다"며 "내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것"이라고 전했다.
최정달 SK하이닉스 낸드 개발담당 부사장은 "당사는 300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지(저장장치) 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다"며 "이를 통해 당사는 HBM으로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 '풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로 도약할 것"이라고 말했다.
뉴스웨이 김현호 기자
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