DB하이텍, 물적분할로 팹리스 분사···"12인치 파운드리 진출"(종합)

29일 주주총회 개최···5월 팹리스 분할 확정

최창식 부회장, 주주총회에서 사업전략 밝혀

"12인치 파운드리 진출 위해 2조5000억 투자"

DB하이텍이 반도체 팹리스를 분할해 순수 파운드리 기업으로 새출발한다.

DB하이텍은 29일 정기 주주총회에서 팹리스 부문을 분사하는 안건이 가결됐다고 밝혔다.

DB하이텍은 향후 파운드리는 고수익 전력반도체를 중심으로 한 순수 파운드리로 거듭나고 신설되는 자회사는 OLED 디스플레이 구동칩 분야에 집중해 각각의 전문화된 경쟁력을 기반으로 동반성장한다는 계획이다.

물적분할로 분사되는 신설 법인 사명은 DB팹리스(가칭)이며, 분할 기준일은 5월 2일이다.

최창식 DB하이텍 대표이사 부회장은 이날 정기 주주총회에서 향후 비전과 투자전략을 발표하며 12인치 파운드리 진출 계획도 밝혔다.

최창식 DB하이텍 부회장이 29일 열린 주주총회에서 인사말을 하고 있다. 사진=DB하이텍 제공

그동안 8인치 구형 공정을 고집하던 DB하이텍은 12인치 공정 전환 필요성이 꾸준히 제기돼왔으나 공식적인 입장을 밝힌 것은 이번이 처음이다. 단 구체적인 투자 시기는 언급하지 않았다.

최 부회장은 "12인치 파운드리에 진출하기 위해서는 2조5000억원이 필요하다"면서 "미국에 삼성, TSMC가 12인치 파운드리 공장을 세우고 있다. DB하이텍도 타이트하게 2조5000억원을 투자할 예정"이라고 설명했다. 또한 DB하이텍은 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체에도 8000억원을 투자할 계획이다.

최 부회장은 향후 DB하이텍을 '글로벌 시스템반도체 강소기업'으로 키우겠다고도 강조했다.

그는 "최고의 전문가가 돼 혁신기술을 통해 특화 시스템반도체 분야에서 세계 최고의 기업을 만들겠다"면서 "수익률 넘버원 기업으로 회사를 키울 것"이라고 말했다.

DB하이텍은 전기차의 보급 확대와 함께 급속히 성장할 것으로 전망되는 SiC, GaN 등의 차세대 전력반도체 기술 개발에 총력을 기울인다는 전략이다.

실제로 DB하이텍은 SiC, GaN 국책과제에 참여해 선진기술 확보에 주력하고 있으며, 최근에는 SiC 개발투자도 단행하면서 현재 6인치 기반인 SiC의 8인치 시장 진출에 적극적으로 나서고 있다.

팹리스의 경우 분할을 통해 첨단 디스플레이 설계전문 국내 대표 팹리스로 성장을 꾀한다.

DB하이텍은 29일 열린 정기 주주총회에서 향후 12인치 파운드리 진출을 위해 2조5000억원의 투자가 필요하다고 밝혔다. 사진=이지숙 기자

특히 스마트폰향 OLED 제품을 확대하면서 글로벌 디스플레이 선진업체의 주요 공급처로 자리매김하며, LCD 분야에서는 초고속·저전력 등의 제품 특성을 강화해 중화권 패널 시장 점유율을 높여 나간다는 방침이다. 또한 OLED 제품도 TV와 자동차 등으로 응용분야를 넓혀가면서 부가가치를 제고해 나갈 예정이다.

DB하이텍은 파운드리와 팹리스의 동반 성장을 통해, 향후 파운드리 기업가치 4조, 팹리스 기업가치 2조로 총 기업가치 6조의 기업으로 성장하는 것을 목표로 하고 있다.

한편 DB하이텍은 물적분할에 반대 목소리를 내고 있는 소액주주들을 위해 다양한 주주친환 정책을 마련했다.

특히 분할 후 신설 자회사가 상장되어 기업가치가 저하될 것이라는 주주들의 불안에 '분할 자회사는 상장 계획이 없다'고 분명하게 밝혔다.

DB하이텍은 물적분할 이후 5년 내 자회사를 상장할 경우 분할신설법인의 상장 진행 여부에 대해 주주총회 특별결의를 거치도록 모회사 정관에 명시할 계획이다.

이에 더해 5년이 지난 후의 상장에 대해서도, '상장 추진 시, 모회사 주주총회 특별결의 의무화 조항'을 자회사 정관에 신설해 모회사 일반주주들이 목소리를 낼 수 있도록 제도화한다.

DB하이텍 관계자는 "물적분할 과정에서 보여주신 주주 여러분들의 성원과 지지에 감사드린다"면서 "파운드리와 팹리스 각각의 전문성 강화를 통해 세계적인 시스템반도체 기업으로 성장하라는 주주 여러분들의 목소리를 명심하고 기업가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다"고 말했다.