"중국, DUV 노광장비 2종 개발"

중국이 반도체 생산에 필요한 심자외선(DUV) 노광장비를 개발한 것으로 전해졌다.

15일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 중국 공업정보화부(MIIT)는 '주요 기술 장비' 신규 목록을 통해 ▲파장 193나노미터(㎚=10억분의 1m), 해상도 65나노 미만, 오버레이(overlay) 정확도 8나노 미만 ▲파장 248나노, 해상도 110나노, 오버레이 정확도 25나노 DUV 2종을 개발했다고 밝혔다. 다만 제작사 이름은 공개하지 않았다.

두 장비의 성능은 최첨단 제품보다 한참 뒤처져있다. 네덜란드 ASML의 최첨단 DUV 노광장비 해상도는 38나노 미만, 오버레이 정확도는 1.3나노급이다. 더군다나 ASML은 2나노 이하 초미세공정에 쓰이는 하이(High)-NA EUV(극자외선)까지 미국 인텔에 공급한 상태다.

노광(Lithography)은 반도체 기판(실리콘 웨이퍼)에 고도로 복잡한 회로 패턴을 새기는 공정이다.

중국은 수년간 반도체 자립을 위해 노력했으나 장비 개발은 아직 더디다. 더군다나 미국이 2019년부터 대(對)중국 수출 규제를 강화하면서 중국은 ASML로부터 EUV 장비를 받지 못하고 있다.

SCMP는 "중국 국유기업 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)는 여전히 ASML 같은 글로벌 경쟁사에 비해 한참 뒤처져 있다"고 지적했다. 다만 "이 회사는 작년 3월 'EUV 방사선 발생기 및 리소그래피 장비' 특허를 출원해 현재 심사받고 있다"고 덧붙였다