SK하이닉스, 'AI 반도체 생산 거점' 용인 클러스터 1기 팹 착공

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 건설 현장. 사진=SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 거듭날 경기도 용인 반도체 클러스터에 건설되는 1기 팹 착공에 들어갔다.

SK하이닉스는 25일 자사의 뉴스룸을 통해 지난 21일 용인시의 건축 허가가 승인됨에 따라 용인 반도체 클러스터에 건설되는 SK하이닉스 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다고 밝혔다.

당초 SK하이닉스는 다음달부터 착공에 들어갈 예정이었으나 용인시 건축 허가 승인으로 시기가 앞당겨지게 됐다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지이다.

이곳에 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며 첫 번째 팹은 오는 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다.

SK하이닉스 측은 "용인캠퍼스는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정"이라고 설명했다.

이어 "더불어 클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정"이라고 밝혔다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 7월 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹과 업무 시설을 건설하는데 약 9조4000억원을 투자하기로 결정했던 바 있다. SK하이닉스는 첫 번째 팹 등 순차적으로 완공, 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다.