삼성전자, 수직구조 ‘3비트 V낸드’ 첫선

평면구조보다 생산성·성능 2배 향상

삼성전자가 3비트 기술을 적용한 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리인 ‘32단 3비트 V낸드’를 처음 선보였다.

6일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시메모리 서밋 2014’ 행사에서 기존 평면구조의 3비트 낸드플래시 제품보다 생산 효율이 2배 높은 3비트 V낸드 제품을 공개했다.

트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 낸드플래시는 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 3비트의 데이터를 저장한다. 1비트나 2비트를 저장하는 싱글레벨셀(SLC), 멀티레벨셀(MLC) 제품보다 저장효율이 2∼3배 뛰어나다.

이 같은 3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시 제품에만 적용됐지만 삼성전자는 지난해 세계 최초로 수직구조의 V낸드를 개발해 상용화 했다.

특히 이번에 개발한 3비트 V낸드는 셀 적층 수도 32단으로 현재 주를 이루는 24단 적층구조 V낸드보다 집적도가 30% 이상 높다.

이에 따라 3비트 V낸드는 기존 평면구조의 3비트 낸드플래시보다 생산성이 높을 뿐 아니라 성능(처리속도)도 2배 가까이 향상하면서 전력 소모량은 40%가량 절감할 수 있는 것으로 알려졌다.

강길홍 기자 slize@