DB하이텍, 에이프로세미콘과 'GaN 전력반도체' 개발 맞손

임종현 에이프로세미콘 대표(왼쪽)와 조기석 DB하이텍 파운드리영업본부장 부사장(오른쪽)이 GaN 전력반도체 파운드리 공정기술 개발 업무협약 체결 후 기념촬영을 하고 있다. 사진=DB하이텍 제공

DB하이텍이 'GaN 전력반도체' 기술개발을 위해 에이프로세미콘과 협력에 나선다.

DB하이텍은 22일 경기도 군포시 에이프로 본사에서 양사 주요 임원들이 참석한 가운데, 성공적인 파운드리 공정기술개발을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 밝혔다.

양사는 올해부터 2024년까지 'GaN 전력반도체 파운드리 공정기술개발'을 추진하며 확보된 기술을 각자 사업에서 활용할 예정이다.

DB하이텍은 GaN, SiC 반도체 사업을 차세대 성장동력으로 선정하고 연구개발에 나서고 있다. 이번 협약의 목표인 8인치 GaN전력반도체 기술 개발은 DB하이텍이 보유한 8인치 공정장비의 호환성을 활용할 수 있기 때문에 향후 안정적인 파운드리 생산능력까지 연결될 것으로 예상된다.

에이프로세미콘은 팹리스 기업임에도 GaN에피웨이퍼 제조기술과 GaN전력반도체 소자공정에 대한 기술을 보유하고 있어 자체적으로 소자개발을 진행해왔다.

에이프로세미콘은 이번 협약을 바탕으로 안정적인 파운드리 파트너를 확보하고 GaN 전력반도체 사업 분야를 더욱 키워나간다는 전략이다.

또한 협력기간 동안 DB하이텍은 공정 개발을 위해 에이프로세미콘의 GaN 에피웨이퍼를 구매해 사용할 계획이다.

GaN 에피웨이퍼는 높은 해외 수입 의존도를 가지고 있는 핵심소재로 에이프로세미콘은 웨이퍼를 직접 생산하고자 지난 2020년 국내 최초로 GaN 전력반도체용 8인치 MOCVD 양산 장비를 국내로 도입해 생산을 시작했다.

사업의 주된 목표는 제품의 내재화였지만 일부 물량은 외부에 판매하고자 하는 계획을 세웠고, 이번 협약을 통해 8인치 GaN 에피웨이퍼의 국산화 결실뿐만 아니라 매출까지 연결될 전망이다.

한편 DB하이텍은 GaN 전문 팹리스와의 기술협력을 통해 차세대 전력반도체 시장에 빠르게 진입할 수 있는 계기를 마련하고 동시에 수요처도 확보해 안정적인 매출창출을 기대할 수 있게 됐다.

소재(에이프로세미콘)-부품(DB하이텍)-장비(에이프로)로 이어지는 밸류체인을 형성함에 따라 주요 핵심기술의 국산화-내재화 외에 부가적인 시너지도 기대할 수 있게 됐다는 분석이다.

DB하이텍 관계자는 "스마트폰 및 각종 IT기기의 급속충전, 데이터센터 등에서 그 수요가 급증할 것으로 예상되는 GaN 시장은 2022년 2.7억달러에서 2027년 20억 달러 규모로 연평균 49%의 고성장이 기대되는 매력적인 분야"라고 설명했다.

이어 "에이프로세미콘과의 이번 기술협력을 통해 미래 성장동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 밝혔다.