SK실트론, 글로벌 1위 英 IOE와 GaN 시장 진출

장용호 SK실트론 대표이사 사장, 아메리코 레모스 IQE CEO 사진=SK실트론 제공

SK실트론은 지난 6일, 구미 본사에서 글로벌 에피택셜(Epitaxial) 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(Strategic Collaboration Agreement, SCA)을 체결했다고 밝혔다.

SK실트론은 이번 협약을 통해 무선통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 각광받고 있는 GaN 웨이퍼 시장에 본격 진출한다. 양사는 고객사 요구사항에 따라 맞춤형 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대를 위해 협력한다.

IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 전세계 반도체 제조사에 공급하고 있는 글로벌 기업이다. 기술 진입장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 글로벌 1위를 차지하고 있다.

GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착시키는 방법으로 만들어진다. 기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높은 특징을 가지고 있다. 급속 충전 등 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5G 기반의 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 사용되고 있으며 그 수요가 증가하고 있다는 게 SK실트론의 설명이다.

SK실트론 장용호 사장은 "첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다"며 "IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다"고 말했다.