"최선단 공정 적용" 삼성전자, 12나노급 D램 양산

삼성전자 12나노급 D램. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 업계 최선단 공정을 적용해 D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다.

18일 삼성전자는 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 밝혔다. 작년 12월 개발을 완료한 이후 5개월여 만이다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정으로 현재 D램 시장에서 업계 최선단 공정을 뜻한다.

삼성전자 12나노급 D램은 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 또 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분되어 오류가 발생하지 않는 장점이 있다.

이밖에 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"며 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.