삼성전자는 4월 'TLC 9세대 V낸드' 양산에 돌입한 데 이어 QLC 제품까지 선보이며 고용량·고성능 낸드플래시 시장 리더십을 굳혔다.
특히 삼성전자는 9세대 V낸드에 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 제품을 설계함으로써 업계 최고 단수를 구현했다. 또 셀과 페리의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 비트 밀도를 약 86% 높였다.
아울러 삼성전자는 '디자인드 몰드' 기술로 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 끌어올렸다. '디자인드 몰드'는 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(워드라인)의 간격을 조절해 적층하는 것을 의미한다.
9세대 QLC에선 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 혁신이 이뤄졌다. 그 결과 기존 제품과 비교해 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 향상됐다.
이밖에 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(비트라인)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 약 30%, 50% 감소했다.
삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS(유니버셜 플래시 스토리지), PC, 서버SSD 등 응용처를 확대할 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드도 양산에 성공함으로써 AI용 고성능·고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"면서 "최근 AI향으로 수요가 급증하는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 말했다.
뉴스웨이 차재서 기자
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