창신메모리 상장 첫날 470% 급등···中 반도체 굴기 기대 키웠다

시초가 49.50위안···공모가 대비 471.6% 급등 출발

일반청약 244대1·기관 570대1···666억위안 대규모 조달

"AI 대표주 부상 기대···글로벌 반도체 변동성은 변수"

그래픽=홍연택 기자

중국 대표 반도체 기업이자 세계 4위 D램 제조사인 창신메모리(CXMT)가 27일 상하이 과창판(科创板)에 상장하며 흥행에 성공했다. 시초가는 공모가보다 470% 이상 높은 수준에서 형성됐고 장 초반 450% 넘는 상승률을 유지하며 투자자들의 높은 관심을 입증했다. 중국 최대 반도체 기업공개(IPO)를 계기로 중국 메모리 반도체 산업 경쟁력과 인공지능(AI) 투자 확대 기대감도 한층 커지는 모양새다.

27일 상하이증권거래소에 따르면 이날 상장된 창신메모리는 공모가 대비 471.6% 상승한 49.50위안에 거래를 시작했다. 한국시간으로 10시 15분 현재 주가는 47.90위안으로 공모가 대비 453.12% 오른 수준이다. 개장 직후 최고가는 49.88위안까지 치솟았다. 창신메모리의 공모가는 8.66위안이다.

창신메모리는 이번 IPO에서 당초 전체 주식 668억8100만주 가운데 10%인 66억8800만주를 공모할 계획이었다. 그러나 투자 수요가 예상보다 크게 몰리면서 대표 주관사인 중국국제금융공사(CICC)가 초과배정옵션(그린슈)을 전량 행사했고 최종 공모 물량은 76억9100만주로 확대됐다.

온라인 일반청약 경쟁률은 244대1, 기관투자자 대상 오프라인 청약 경쟁률은 570대1을 기록하며 높은 흥행을 입증했다. 공모 규모도 당초 목표였던 295억위안을 크게 웃도는 666억위안으로 늘어 아시아 최대 규모 반도체 IPO 가운데 하나로 기록됐다.

회사는 이번 상장을 통해 확보한 자금을 생산능력 확대와 차세대 메모리 기술 개발에 집중 투입할 계획이다. 2026년까지 월간 웨이퍼 생산능력을 35만장으로 늘리고 2030년에는 60만장까지 확대해 글로벌 메모리 업체들과 경쟁력을 높인다는 전략이다. 또 DDR5와 LPDDR5X 등 차세대 D램 제품의 수율을 개선하고 중국이 상대적으로 취약한 고대역폭메모리(HBM) 기술 경쟁력도 강화할 방침이다.

당초 조달 예정 자금은 메모리 웨이퍼 제조 양산라인 기술 고도화에 75억위안, D램 기술 업그레이드에 130억위안, 선행기술 연구개발(R&D)에 90억위안을 배정할 계획이다. 하지만 목표를 크게 웃도는 자금을 확보하면서 투자 여력도 한층 확대될 전망이다.

증권가는 창신메모리가 상장 직후 중국 반도체 대표 종목으로 자리매김할 가능성이 높다고 평가했다. 공모가 기준으로도 상장과 동시에 중국 A주 반도체 업종 시가총액 4위에 오르는 만큼 향후 반도체와 AI 관련 지수 및 테마 상품의 핵심 편입 종목이 될 가능성이 크다는 분석이다.

공모가 기준 주가수익비율(PER)은 약 109배로 주요 반도체 기업과 비교해 밸류에이션 부담도 상대적으로 크지 않다는 평가다. 다만 최근 글로벌 반도체 업종의 주가 변동성이 확대되고 있는 만큼 상장 초기 주가 흐름에는 영향을 줄 수 있다는 전망도 제기됐다.

여태경 현대차증권 연구원은 "창신메모리는 상장과 동시에 중국 반도체 업종 시가총액 상위권에 진입하면서 반도체와 AI 관련 상품의 핵심 편입 종목으로 부상할 가능성이 높다"며 "다만 글로벌 반도체 업종의 변동성이 확대되고 있는 점은 상장 초기 주가 흐름의 변수로 작용할 수 있다"고 분석했다.