낸드·EUV 장비 입고를 위한 추가 공간 확보 필요TSMC·인텔 등도 ASML의 EUV 노광장비 도입 예정
이는 낸드 장비 투자를 위한 추가적인 공간 확보와 극자외선(EUV) 노광장비 추가 입고를 위한 중장기적 공간 확보의 필요성이 대두된 것으로 풀이된다.
21일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 하반기 평택캠퍼스 P3(3공장) 준공 이전에 4공장의 조기 착공을 시작할 것으로 알려졌다.
원래 P4는 오는 2023년 6월 외관 공사를 마무리한 후 내부 클린룸 설치와 장비 반입, 시가동 등 일정을 고려해 2024년 상반기부터 가동될 계획이다.
그러나 이재용 삼성전자 부회장이 지난 7일부터 18일까지 11박 12일간의 유럽 출장에서 EUV 장비 확보를 위해 네덜란드 에인트호번에 위치한 반도체 장비업체인 ASML 본사를 찾아 원활한 장비 수급 방안을 논의하는 등 사업 협력을 강화하면서 P4의 조기 착공 가능성이 더욱 높아졌다.
ASML은 반도체 미세공정에 필수적인 EUV 노광장비를 독점 생산하는 글로벌 업체다.
박유악 키움증권 연구원은 "올해 하반기 평택 4공장의 조기 착공이 시작된다"며 "이에 반도체 소부장(소재·부품·장비)에 대한 중장기 실적 성장성이 부각될 것으로 판단된다"고 말했다.
삼성은 지난 2019년 '시스템 반도체 비전 2030' 목표를 제시했으나 반도체 업계에선 전세계 파운드리 1위인 대만 TSMC와 비교하면 삼성의 노광장비 확보가 늦어지고 있다는 지적이 제기되고 있는 상황이다. 이에 삼성은 시스템반도체 역량 강화를 위해 ASML 장비가 필요하다.
글로벌 시장조사업체 트렌스포스는 올해 TSMC의 파운드리 시장 점유율이 전년 대비 3%포인트 늘어난 56%, 삼성은 지난해보다 2%포인트 하락한 16%에 그칠 것으로 전망했다.
특히 대만 TSMC와 미국 인텔 등도 ASML의 장비를 받기 위해 줄을 서고 있다.
인텔은 ASML과 올해 초 최첨단 극자외선 장비 도입 계약을 TSMC와 삼성보다 먼저 맺었다. 이어 TSMC도 2024년에 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV'를 도입할 것으로 알려졌다.
연내 본격 가동을 앞두고 있는 세 번째 반도체 생산라인(P3)은 2분기 낸드를 시작으로 하반기에는 디램과 파운드리에 대한 장비 발주가 진행될 것으로 예상된다. P3는 축구장 25개(건축허가 면적 70만㎡, 길이 700m) 크기로 향후 극자외선 기술이 적용된 14나노(㎚) D램과 5나노 로직 제품을 양산할 것으로 관측된다.
또 삼성이 지난 달 향후 5년간 450조원(국내 360조원)의 대규모 투자를 단행하기로 밝힌 만큼, P4에 이어 5공장(P5) 건설 준비 돌입과 6공장(P6) 추가 증설을 예고했다는 추측도 나오고 있다.
삼성은 이번 투자를 통해 '반도체 초강대국' 달성을 주도하고 첨단기술의 선제적 적용으로 '초격차' 리더십을 강화할 것으로 보인다. 이어 4차 산업혁명에 필수적인 반도체 경쟁력을 확보하고 선단공정 중심의 기술개발·투자를 통해 미래시장을 개척해 나갈 계획이다.
뉴스웨이 윤서영 기자
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