곽노정 SK하이닉스 사장 "고객 요구에 차별화된 '시그니처 메모리' 만들 것"

"시그니처 메모리 개발해 AI용 메모리 분야 선도할 것"

공정 미세화와 함께 3D D램 기술을 동시에 준비 중

곽노정 SK하이닉스 사장이 2일 서울 성북구 고려대학교에서 '메모리 반도체의 비전과 인재 육성'이라는 주제로 특별강연을 진행하고 있다. 사진=SK하이닉스 제공

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 고려대학교 특별 강연에서 "앞으로 고객의 다양한 요구를 충족할 수 있는 SK하이닉스만의 차별화된 제품인 '시그니처 메모리'를 만들어 갈 것"이라고 말했다.

2일 곽노정 사장은 서울 고려대학교에서 '메모리 반도체의 비전과 인재 육성'이라는 주제로 특별강연을 진행했다.

곽 사장은 "앞으로 메모리 반도체 고객들은 자신들의 필요에 부합하는 최적화된 스펙의 메모리를 요구하게 될 것"이라며 "이에 맞춰 그동안 범용제품으로 인식돼온 메모리가 앞으로는 고객별 차별화된 기술로 진화해갈 것으로 본다"고 말했다.

이에 SK하이닉스는 고객의 다양한 요구를 만족시킬 수 있는 차별화된 '시그니처 메모리'를 만들어가겠다는 계획이다.

그는 "그동안 메모리 반도체는 범용제품이었기 때문에 누가 더 작게, 높게 만들 수 있느냐만 두고 경쟁"해왔으나 "AI 시대로 접어들면서 고객들이 저마다 구상하는 서비스의 형태가 다양해지면서, 메모리에 요구하는 스펙 역시 다변화됐다"고 분석했다.

이어 "특히 AI에 집중해 시그니처 메모리를 개발하고 있다"며 "이미 HBM 같은 제품을 통해 SK하이닉스는 AI용 메모리 분야를 선도하고 있지만 이 분야에서 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 계획"이라고 말했다.

곽 사장은 "앞으로 포스트 폰노이만 컴퓨팅 환경의 핵심은 메모리 반도체가 될 가능성이 높다"고 전망하면서 "SK하이닉스는 지난 10년 동안 HBM을 준비해 왔듯 제2, 제3의 HBM이 될 수 있는 PIM, CXL 기반 이머징 메모리(Emerging Memory) 개발에 많은 노력을 기울이고 있다"고 덧붙였다.

또 SK하이닉스는 공정 미세화와 함께 3D D램 기술을 동시에 준비하고 있다고 밝혔다. D램은 계속해서 선폭을 줄이는 방향으로 발전해왔는데 현재는 선폭 10nm(나노미터)의 한계를 극복하기 위한 경쟁을 하고 있다는 것이다.

그러면서 곽 사장은 "완전히 새로운 D램 셀 구조로의 전환도 고려하고 있다"며 "대안 중 하나는 D램에 낸드의 적층 기술을 적용하는 것인데 특성이나 비용 측면에서 아직 해결해야 할 부분이 많지만, 이를 극복할 수 있다면 D램 기술을 추가적으로 고도화할 수 있다"고 말했다.

낸드에 대해서는 "더 높게 쌓기 위한 기술과 함께 측면 스케일링(Scaling)에 필요한 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술 개발도 병행 중"이라며 "낸드는 고용량을 구현하기 위해 더 높게 쌓는 적층 경쟁을 이어왔으며 500단 이후가 앞으로 어려운 도전이 될 것"이라고 말했다.

이어 "쌓기만 하는 데는 한계가 있어 데이터 저장 방식을 TLC(Triple Level Cell)에서 QLC(Quad Level Cell), PLC(Penta Level Cell)와 같이 다중 저장 방식으로 전환하기 위한 기술도 대안으로 검토하고 있다"고 말했다.

곽 사장은 인재 육성을 최우선 과제로 보고 꾸준히 힘을 쏟겠다고 강조했다. 그는 "차별화된 기술을 이루어내는 주체는 결국 사람이기 때문"이라며 "SK하이닉스는 가까운 미래에 이천, 청주, 용인 세 지역을 삼각축으로 세계적인 반도체 거점을 만들고자 한다. 모쪼록 여러분과 같은 미래 인재가 잘 성장해 SK하이닉스와 함께 더 나은 세상을 만들어 가는 날이 오기를 기대한다"고 말했다.