SK하이닉스, 中 4F² 파동에···"6F² 최대한 활용, 4F²는 아직"

CSMT 4F² 연내 적용 계획 발표

SK하이닉스 "4F² 전환 기술 개발 중"

"기술 완성 시점에 맞춰 적용해 나갈 것"

사진=연합뉴스 제공. 사진=연합뉴스 제공

SK하이닉스는 2026년 3분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)로부터 촉발된 차세대 D램 기술 경쟁에 대해 "새로운 셀 구조를 실제 제품에 적용하기 위해서는 성능뿐 아니라 수율과 신뢰성, 원가 경쟁력을 두루 확보하고 제품 설계와 고객 평가까지 거쳐야 한다"며 "그렇기 때문에 기술 구현과 실제 상용화 시점은 구분해서 볼 필요가 있다"고 밝혔다.

중국의 CXMT는 지난 10일 4F²셀 구조를 적용한 서버용 DDR5 메모리 모듈을 연내 선보이겠다고 밝혀 시장의 조명을 받았다.

4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 메모리 셀의 면적을 줄이는 차세대 아키텍처다. 반도체 회로의 최소 선폭을 나타내는 F를 기준으로 셀 면적을 4F²로 설계하는 방식이다. 현재 주류인 6F² 구조와 비교하면 셀 면적을 이론적으로 약 33% 줄일 수 있다. 같은 면적에 더 많은 메모리 셀을 배치할 수 있어 집적도를 높이는 데 유리하다.

CXMT가 실제 상용화에 성공할 경우, 삼성전자와 SK하이닉스 등 우리 반도체 기업보다 기술적인 측면에서 일부 앞서는 셈이다.

SK하이닉스는 "성숙도와 안정적인 테크 플랫폼 운영을 통해 기존 6F² 구조를 최대한 활용하고, 이후 4F² 또는 3차원(3D) D램 플랫폼으로 전환하는 기술 개발을 진행하고 있다"고 설명했다

회사는 "극자외선(EUV) 기반의 미세화 공정 혁신을 통해 현재의 6F²플랫폼을 추가로 확장할 수 있는 기술적 여력을 확보하고 있다"며 "현시점에서는 양산 안정성과 원가 경쟁력의 검증된 플랫폼을 최대한 활용해 제품 경쟁력을 높이는 것이 가장 효율적인 전략이라고 판단한다"고 부연했다.

SK하이닉스는 "SK하이닉스는 기존 D램의 '익스트림 스케일링'부터 4F²와 3D D램까지 단계별 기술 로드맵을 준비하고 있고, 각 기술의 완성도와 경제성을 확보하는 시점에 맞춰 적합한 제품에 적용해 나갈 계획"이라고 했다.