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삼성전자, 2030년까지 1000단 낸드 개발···"메모리 감산 안해"(종합)

삼성전자, 2030년까지 1000단 낸드 개발···"메모리 감산 안해"(종합)

등록 2022.10.06 10:21

수정 2022.10.06 15:33

김정훈

  기자

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'5세대 10나노급 D램', '9세대 V낸드' 등 순차적 양산시스템LSI사업부 '통합 솔루션 팹리스' 목표메모리 반도체 수요 부진에도···"감산 계획 없다"

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 메모리사업부장 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 메모리사업부장 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 2023년 5세대 10나노급 D램 생산과 2024년 9세대 V낸드 양산을 포함, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다는 계획을 내놨다.

삼성전자는 D램과 낸드 메모리 분야에서 각각 30년과 20년간 1위를 지켜왔다. 향후 10년간 차별화된 솔루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나간다는 전략이다.

◆삼성, '메모리 초격차' 전략 공개 = 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 개최한 '삼성 테크 데이 2022'에서 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

이날 '삼성 테크 데이'는 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장을 포함해 800여 명이 참석한 가운데 진행됐다.

삼성전자는 데이터 인텔리전스를 발전시킬 미래 D램 솔루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술을 공개했다.

우선 내년에 5세대 10나노급 D램을 양산하고, 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계에 도전한다.

또 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝혔다. V낸드는 수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내어 각 층을 연결하는 반도체 제품을 뜻하는 것으로 단수가 높을수록 기술력이 좋음을 의미한다.

삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산한다.

삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다"며 "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것"이라고 말했다.

삼성전자는 또 차세대 시스템 반도체 제품을 선보이며 비메모리 사업 강화 의지도 드러냈다.

이번 행사 부스 전시를 통해 차세대 차량용 시스템온칩(SoC) '엑시노스 오토 V920', 5G 모뎀 '엑시노스 모뎀 5300', QD(퀀텀닷) OLED용 DDI(디스플레이구동칩) 등 신제품들과 프리미엄 모바일AP '엑시노스 2200', 업계 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 '아이소셀 HP3', '생체인증카드'용 지문인증IC 제품 등을 공개됐다.

박용인 시스템LSI사업부장 사장은 "사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것"이라고 말했다.

그러면서 "삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 '통합 솔루션 팹리스'가 될 것"이라고 강조했다.

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 시스템LSI사업부장 박용인 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 시스템LSI사업부장 박용인 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공

◆삼성 "메모리 감산 계획 없어" = 삼성전자는 글로벌 경기 침체 우려에도 메모리 반도체 감산 계획에 대해서는 선을 그었다.

이는 미국 마이크론, 일본 키옥시아 등 메모리 기업들이 내년도 설비투자와 생산을 30%가량 줄인다는 방침을 밝힌 가운데 나온 것이다.

최근 메모리 반도체 시장은 인플레이션과 경기 침체로 전자기기 판매가 줄면서 수요가 크게 감소하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 "메모리 수요의 감소로 공급망 재고 압력이 더 커졌다"며 "4분기 D램 가격이 13~18% 떨어질 것"이라고 내다봤다.

한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 이날 '삼성 테크 데이' 미디어 브리핑에서 "메모리 생산량을 줄일 계획이 없다. 현재로선 감산에 대한 논의가 없다"고 밝혔다.

메모리 반도체 1위인 삼성전자는 지난해 말 기준 D램의 세계 시장 점유율 42.7%, 낸드플래시는 점유율 33.9%를 차지했다.

삼성전자는 고객과 파트너가 다양한 서버 환경에서 삼성 메모리와 소프트웨어 솔루션을 테스트하고 검증할 수 있는 '삼성 메모리 리서치 센터(이하 SMRC)'를 열 예정이다. 올 4분기 국내에 먼저 SMRC를 세우고 내년에는 미 실리콘밸리 산호세, 2024년에는 싱가포르에 각각 SMRC를 늘린다는 계획이다.

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뉴스웨이 김정훈 기자

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