'메모리 1위' 삼성전자, "내년 5세대 10나노급 D램 양산"

美실리콘밸리서 '테크 데이 2022' 개최

2030년까지 1000단 V낸드 개발 선언

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 이정배 메모리사업부장 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 5일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022(Samsung Tech Day 2022)'를 통해 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

2017년부터 시작된 삼성 테크 데이는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

올해 삼성 테크 데이는 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장, 박용인 시스템LSI사업부장 박사장, 정재현 미주총괄 부사장을 포함해 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등 800여 명이 참석한 가운데 진행됐다.

삼성전자는 이날 행사에서 내년 '5세대 10나노미터((㎚·1㎚는 10억분의 1m) D램' 생산과 2024년 '9세대 V낸드' 양산, 2030년까지 '1000단 V낸드' 개발 등을 선언했다. 차별화된 솔루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나가겠다는 전략이다.

특히 삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품 양산에 나선다.

삼성전자는 7세대보다 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개하며 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이라고 설명했다.

삼성전자는 이외에도 자율 주행(AD), 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표도 제시했다. 또 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다는 의지도 표명했다.

삼성전자는 제품 기술을 융합한 '플랫폼 솔루션(Platform Solution)'으로 고객 니즈에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나갈 계획이다. 삼성전자는 SoC(System on Chip), 이미지센서, 모뎀, DDI(Display Driver IC), 전력 반도체(PMIC), 보안솔루션 등을 아우르는 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어섰다"며 "이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환(Digital Transformation)을 체감하고 있다"고 말했다.

이어 "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화(Co-evolution)하며 발전해 나갈 것"이라고 덧붙였다.