삼성전자 "2026년 전장용 반도체 2나노 양산 준비"

미국 실리콘밸리에서 개최한 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장이 기조연설을 하고 있다. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 오는 2026년까지 전장용 2나노 반도체 양산을 준비하고 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체인 eMRAM에는 5나노 공정을 2027년 적용하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 19일(현지시간) 독일 뮌헨에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고 최첨단 공정 로드맵과 전장(Automotive) 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다.

삼성전자는 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년 완료하는 한편, 차세대 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)과 8인치 BCD 공정 포트폴리오를 확대한다.

eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체다.

삼성전자는 2024년 완료를 목표로 AEC-Q100 Grade 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발 중이다. AEC-Q100 Grade 1은 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것으로 전 세계에서 통용되는 기준을 뜻한다.

또 2026년 8나노, 2027년 5나노까지 eMRAM 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eMRAM의 경우 이전 14나노 대비 집적도가 30%, 속도는 33%가 증가할 것으로 기대된다.

8인치 BCD 공정 포트폴리오도 강화한다.

삼성전자는 현재 양산 중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대하기로 했다. 90나노 전장 BCD 공정은 130나노 대비 약 20% 칩 면적 감소가 기대된다.

또 DTI(Deep Trench Isolation) 기술을 활용해 전장향 솔루션에 적용되는 고전압을 기존 70볼트(Volt)에서 120볼트로 높일 예정이며 130나노 BCD 공정에 120볼트를 적용한 공정설계키트(PDK)를 2025년 제공할 계획이다. DTI는 트랜지스터 사이의 간격을 줄이고 전류 누출과 과전류로 인해 소자 특성이 저하되는 현상을 개선시켜 전력반도체의 성능을 더욱 향상시키는 기술을 의미한다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, MCU(Micro Controller Unit) 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획"이라며 "삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 이번 독일과 미국(6월), 한국(7월) 외 지난 17일, 일본에서도 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최했으며, 오프라인 행사에 참석하지 못한 글로벌 고객을 위해서 11월 2일부터 올해 말까지 삼성전자 반도체 공식 홈페이지에 행사 내용을 공개할 계획이다.