전기·전자
삼성 선공·SK 응수···막 오른 HBM4E 경쟁, 승자는?
차세대 고대역폭메모리(HBM4E) 경쟁이 본격화됐다. 삼성전자가 업계 최초로 12단 HBM4E 샘플을 출하하며 선공에 나섰고, SK하이닉스도 샘플 공급으로 맞대응했다. 업계는 16단 제품에서 양사 후공정 기술 경쟁이 본격화될 것으로 전망하며, 하이브리드 본딩과 MR-MUF 연장 전략이 핵심 관전 포인트가 될 것으로 분석한다.
[총 5건 검색]
상세검색
전기·전자
삼성 선공·SK 응수···막 오른 HBM4E 경쟁, 승자는?
차세대 고대역폭메모리(HBM4E) 경쟁이 본격화됐다. 삼성전자가 업계 최초로 12단 HBM4E 샘플을 출하하며 선공에 나섰고, SK하이닉스도 샘플 공급으로 맞대응했다. 업계는 16단 제품에서 양사 후공정 기술 경쟁이 본격화될 것으로 전망하며, 하이브리드 본딩과 MR-MUF 연장 전략이 핵심 관전 포인트가 될 것으로 분석한다.
전기·전자
전영현 "엔비디아와 HBM4·파운드리 협력···결과로 보여줄 것"
삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 전영현 부회장이 서울에서 엔비디아 젠슨 황 CEO와 만나 HBM4 공급 및 파운드리 협력 강화, 차세대 메모리 공동 개발 방안을 논의했다고 밝혔다. 단기 HBM4 공급부터 중장기 HBM4E·HBM5 공동 개발까지 확대된 협력 방안과 자율주행·엑셀러레이터 칩 협력 상황을 설명했다.
전기·전자
[현장]젠슨 황 "SK하이닉스, 최대 파트너"···최태원 "엔비디아가 최대 고객"
엔비디아와 SK하이닉스가 글로벌 AI 반도체 시장에서 장기 파트너십을 공식화했다. 양사는 차세대 AI 플랫폼의 메모리 공동 개발, AI 팩토리 인프라 구축, 로보틱스 등 협력 범위 확대를 밝혔으며, SK텔레콤도 엔비디아와 고성능 클라우드 AI 서비스 협력에 나선다.
전기·전자
SK하이닉스, 321단 QLC 낸드 양산 개시···AI 데이터센터 시장 공략
SK하이닉스가 321단 2Tb(테라비트) QLC 낸드 플래시 제품의 개발을 완료하고 양산에 돌입한다. SK하이닉스는 이 같은 소식을 밝히며 제품 원가경쟁력 우위를 극대화하기 위해 용량을 기존 제품 대비 2배 늘린 2Tb로 개발했다고 25일 전했다. 낸드플래시는 한 개의 셀에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC
전기·전자
"수직 쌓기로 한계 극복"···SK하이닉스, '차세대 D램 로드맵' 공개
SK하이닉스가 차세대 D램 개발을 위한 중장기 기술 로드맵을 공개했다. 4F² VG 플랫폼 및 3D D램 등 첨단 기술을 바탕으로, 10나노 이하 미세 공정의 한계를 구조·소재 혁신으로 돌파하고자 한다. 이로써 경쟁력과 성장 동력을 확보할 계획이다.