전기·전자
"수직 쌓기로 한계 극복"···SK하이닉스, '차세대 D램 로드맵' 공개
SK하이닉스가 차세대 D램 개발을 위한 중장기 기술 로드맵을 공개했다. 4F² VG 플랫폼 및 3D D램 등 첨단 기술을 바탕으로, 10나노 이하 미세 공정의 한계를 구조·소재 혁신으로 돌파하고자 한다. 이로써 경쟁력과 성장 동력을 확보할 계획이다.
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