'3나노 전쟁' 기술은 삼성·안정성은 TSMC···승자는?

세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 3나노(1㎚는 10억분의 1ｍ) 양산 초읽기에 들어갔다. 세계 최초로 양산한 삼성전자의 후발주자로 나선 것이다. TSMC는 삼성과 달리 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 유지했다. 삼성전자가 선택한 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터는 핀펫의 구조적 한계를 극복하는 차세대 트랜지스터로 알려졌는데 이를 채택하지 않은 것이다. 파운드리 패권을 두고 3나노 공정부터 양사의 로드맵이 뒤바뀐 셈이다. T

삼성, '비장의 무기' 3나노 드디어 출하···TSMC 반격 나선다

삼성전자가 지난달부터 대량생산에 들어갔던 세계 최초 '3나노(㎚)' 반도체 제품을 오는 25일 출하식을 통해 공개하면서 글로벌 파운드리 시장 대응에 본격 나선다. 1나노는 10억분의 1m 사이즈로 보통 머리카락 10만분의 1 굵기에 불과하다. 반도체를 만들 때 회로 선폭이 얇아 보다 작은 면적에 더 많은 회로를 그릴 수 있어 생산성이 높아진다. 7나노와 5나노 공정 제품 양산에서 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 TSMC에 뒤쳐졌던 삼성전자가 이번