삼성전자, 2분기 D램 점유율 세계 1위···2위는 SK하이닉스

사진=삼성전자 제공

삼성전자가 메모리 반도체 시장의 한파에도 올해 2분기 D램 시장 점유율 1위 자리를 지킨 것으로 나타났다.

16일 시장조사기관 옴디아(Omdia)에 따르면 삼성전자의 올해 2분기 D램 시장 점유율은 43.4%로 세계 1위를 유지했다. 삼성전자의 D램 시장 점유율은 지난해 4분기 41.9%에서 올해 1분기 42.7%, 2분기 43.4%로 2개 분기 연속 상승세를 보였다.

2위인 SK하이닉스의 2분기 점유율은 28.1%로 1분기(27.1%)보다 1%포인트 상승했다. 3위는 미국의 마이크론이 점유율 23.6%를 차지했다. 마이크론의 점유율은 1분기(24.8%) 대비 1.2%포인트 하락했다.

한편, 삼성전자는 낸드플래시 시장에서도 1위를 지켰다. 다만 2분기 시장 점유율은 1분기(35.5%)보다 2.2%포인트 하락한 33.3%를 기록했다. SK하이닉스(자회사 솔리다임 포함)는 20.4%로 2위였다. 이어 일본 키옥시아(16.0%), 미국 웨스턴디지털과 마이크론(각각 13.0%) 등이 그 뒤를 이었다.

글로벌 경기 침체에 따른 수요 위축 여파로 D램과 낸드플래시 가격 하락세를 보이고 있지만, 삼성전자는 반도체 초격차를 위한 개술 개발에 박차를 가하고 있어 당분간 메모리 시장에서 압도적 1위를 유지할 전망이다.

삼성전자는 이달 5일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 내년에 5세대 10나노(1㎚는 10억분의 1ｍ)급 D램, 2024년 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다.

이는 반도체 안의 회로 간격(선폭)을 10나노까지 좁게 만들겠다는 것이다. 선폭이 좁을수록 반도체 크기가 작아지면서 소비 전력은 줄고 속도는 빨라진다.

낸드 분야에서도 격차를 벌리겠다는 의지를 드러냈다. 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1천단 V낸드를 개발하겠다는 구체적 로드맵을 제시하기도 했다. 현재 삼성전자는 176단 7세대 V낸드를 생산하고 있다.

SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사는 올해 200단 이상 V낸드 기술을 공개하며 '적층 경쟁'을 펼쳐왔는데, 삼성전자는 1천단까지 쌓을 기술 개발 계획을 밝혔다.