4분기에만 1.7조 적자···SK하이닉스, 투자 50% 이상 줄인다(종합)

작년 매출 44조6481억·영업익 7조66억원

1분기 D램 출하량, 두 자릿수 감소 예상

자회사 솔리다임, 당분간 부정적 영향 불가피

추가 감산 없이 미래준비···하반기 수요 개선

SK하이닉스가 반도체 업황 악화 직격탄을 맞으며 지난해 4분기 10년만에 분기 적자를 기록했다.

SK하이닉스는 지난해 4분기 매출액 7조6985억원, 영업손실 1조1702억원을 거뒀다고 1일 공시했다. 매출액은 전년 동기 대비 37.8% 감소했으며 분기 적자는 2012년 3분기 이후 처음이다.

지난해 연간 매출액은 전년 대비 3.8% 증가한 44조6481억원, 영업이익은 43.5% 줄어든 7조66억원으로 집계됐다.

SK하이닉스는 업황 악화로 인한 타격을 최소화하기 위해 올해 투자 규모를 지난해 19조원 대비 50% 이상 줄이며 허리띠를 졸라매고 있다. 또한 기술력을 기반으로 신시장 확대 준비에 만전을 기하고 시장 반등시 빠르게 턴어라운드를 할 수 있도록 노력한다는 계획을 내놨다.

◇반도체 재고 1분기 정점···하반기 개선 기대=SK하이닉스는 올해 하반기로 갈수록 수급상황이 개선될 것으로 예상했다.

SK하이닉스 관계자는 이날 진행된 4분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "이미 메모리 가격이 고점 대비 50% 이상 하락한 만큼 가격탄력성에 따른 메모리 사용량 증가로 올해 수요 성장세는 전년 대비 높을 것"이라며 "공급업체의 대응 노력이 나타나기 시작하는 1분기 중 재고 수준이 정점을 기록 후 점진적으로 낮아질 전망"이라고 설명했다.

특히 하반기 중국의 리오프닝(경제활동 재개), 신규 CPU 출시 등으로 시장 상황이 개선될 것이란 기대감이 높아졌다. SK하이닉스는 "상반기는 보수적으로 보는 것이 사실이나 하반기의 경우 전년 대비 수요 모멘텀이 있는 것으로 보여진다"고 말했다.

단 위축된 수요 환경과 높은 재고 수준에 맞춰 출하량은 조정에 나선다. SK하이닉스는 1분기 D램은 전분기 대비 두 자릿수, 낸드는 한 자릿수 후반 줄어든 출하를 계획하고 있다고 밝혔다.

SK하이닉스 관계자는 "업계의 높은 재고수준을 정상화하고 수급 균형 시점을 앞당기기 위해, 레거시 및 수익성 낮은 제품을 중심으로 웨이퍼 투입량을 축소했다"며 "신규 캐파 투자 없이 일부 공정 전환에 따른 캐파 감소를 고려하면 올해 D램과 낸드 웨이퍼 생산은 전년 대비 줄어들 것"이라고 설명했다.

SK하이닉스 M16 전경. 사진=SK하이닉스 제공

4분기 실적 악화에는 지난해 인텔로부터 인수한 솔리다임의 수익성 악화도 영향을 줬다.

SK하이닉스는 이날 실적발표를 통해 영업외손실 2조5200억원 중 키옥시아 투자자산 포함한 금융상품 평가손실이 6200억원, 낸드 관련 무형자산 손상이 1조5500억원 차지했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 "솔리다임은 전례없는 메모리 수요 둔화를 겪으며 하반기부터 당사 낸드와 비슷한 속도로 매출이 감소했다"며 "인수 첫해인 만큼 출범에 따른 비용이나 인수 관련 회계 체제로 비경상적 이익이 반영됐다. 당분간 낸드 시황 악화로 인한 매출과 손익의 부정적인 영향은 불가피할 것으로 보인다"고 내다봤다.

◇투자 50% 이상 줄이지만···미래 준비 '최선'=SK하이닉스는 올해 전년 대비 투자 규모를 50% 이상 줄이지만 기존 계획 외에 추가 감산 없이 미래 준비에 적극적으로 나설 계획이라고 강조했다. 일부에서 제기된 유상증자 가능성에도 현재는 자금조달 방안으로 고려하고 있지 않다고 밝혔다.

SK하이닉스는 이날 실적 컨퍼런스콜에서 추가적인 투자 감축 계획이 있냐는 질문에 대해 "지난해 설비투자와 팹(공장) 규모, 필수적인 인프라 투자 등을 고려하면 투자 규모는 이미 적정수준으로 축소했다고 판단한다"며 "현재로서는 추가적인 투자 감축은 고려하지 않고 있다"고 선을 그었다.

이어 "투자계획에 근간이 되는 것은 향후 시장 상황의 변동인데 현재로서는 변화가 없는 상황"이라며 "큰 규모의 투자 축소로 볼 수 있으나 올해 수요가 증가하는 DDR5, HBM3, 1a 나노미터, 176단 기반 제품들은 향후 고객 수요에 맞춰 공급할 수 있도록 만반의 준비를 하겠다"고 언급했다.

극자외선(EUV) 적용 공정도 점진적으로 늘려나갈 계획이다. SK하이닉스 관계자는 "EUV는 효율성을 극대화하는 방향에 집중해왔으며 현재 업계 최고 수준의 생산성을 확보했다"면서 "EUV 적용 공정을 1b, 1c나노에서 점진적으로 늘려나갈 계획"이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 투자 축소에 따른 경쟁려 우려에 대해 미래 테크리더십은 문제없이 준비 중이라고 강조했다. 1a나노미터와 176단 주력 제품은 성숙수율에 도달한 상태다.

올해 중순에는 차세대 제품인 1b 나노미터 D램과 238단 낸드플래시를 양산할 계획이다. 1b나노 D램은 1a나노 D램 대비 넷다이(웨이퍼당 생산가능 칩수) 효율이 40% 이상 증가하고 원가 경쟁력이 높은 제품이다.

SK하이닉스는 "238단은 이미 코어 제품 개발이 완료가 됐고, 올해 중에 넷다이 효율성이 약 50% 높아진 1테라바이트 기반의 제품도 출시할 예정"이라고 말했다.

최근 업계의 화두인 인공지능 '챗GPT'도 메모리 수요에 긍정적인 역할을 할 것으로 기대되고 있다.

SK하이닉스 측은 "빠른 속도를 지원하기 위해 병렬 처리를 위한 고성능 D램이 필요하게 될 것이며 향후 64기가바이트(GB)에서 128GB로 넘어가는 전환 시점도 당길 수 있다"며 "업계 전반의 활용이 확장될 가능성이 커 중장기 성장 엔진이 될 것"이라고 말했다.