삼성전자, 'HBM4' 보다 20% 빠른 'HBM4E 12단' 공급

삼성전자 HBM4E 12단 제품. 사진=삼성전자

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM4E 샘플 공급에 나서며 AI 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 낸다.

삼성전자는 세계 최초로 차세대 AI 가속기의 핵심이 될 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다.

지난 2월 업계 최고 속도를 구현한 HBM4 양산 출하에 성공하며 시장의 이정표를 세운 데 이어, 불과 수개월 만에 차세대 HBM4E 공급까지 개시하며 고대역폭메모리 시장에서 기술 리더십을 다시 한번 입증했다.

특히 이번 HBM4E 공급은 단순한 제품 라인업 확대를 넘어, 향후 수년간 폭발적으로 성장할 글로벌 AI 인프라 시장에서 삼성전자의 공급 역량과 기술 경쟁력을 확고히 하는 계기가 될 것으로 기대된다.

삼성전자의 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 한층 강화된 성능을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 또 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공해 대규모 언어모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.

용량 측면에서도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 삼성전자는 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB 8단, 64GB 16단까지 라인업을 확대해 나갈 계획이다.

삼성전자는 이번 제품에 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용했다. HBM4에서 검증한 공정과 설계 조합을 HBM4E에도 적용해 성능과 양산 안정성을 동시에 확보했다는 설명이다.

전력 효율과 발열 특성도 개선했다. 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. AI 데이터센터에서는 메모리 성능뿐 아니라 전력 소모와 발열 관리가 핵심 과제로 꼽히는 만큼, 삼성전자는 이번 제품이 고객사의 시스템 효율 개선에 기여할 것으로 보고 있다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급을 추진할 방침이다. 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 턴키 역량을 기반으로 공급 안정성을 높이겠다는 전략이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 진행하며 기술 리더십을 입증했다"며 "앞으로도 선제적인 생산 인프라 투자와 제품 경쟁력을 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도하겠다"고 말했다.

한편 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4 제품의 공급도 확대하고 있다. 삼성전자 HBM4는 지난해 12월 최종 인증 단계인 SiP 테스트에서 11.7Gbps 수준의 속도를 입증한 바 있다. HBM4E 역시 HBM4와 동일하게 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합을 적용한 만큼, 향후 양산 전환 가능성에도 업계의 관심이 쏠리고 있다.