SK하이닉스, 7세대 HBM 2026년 양산 예고

"HBM, 5세대 이후에는 1년 주기로 발전"

그래픽=박혜수 기자

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E를 2026년부터 양산할 계획이다.

13일 업계에 따르면 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이 같은 로드맵을 밝혔다.

SK하이닉스는 AI 칩 필수재로 꼽히는 HBM을 2014년 처음 개발한 이후 2018년 HBM2(2세대)부터 HBM2E(3세대), HBM3(4세대), HBM3E(5세대)를 2년 주기로 선보였다. 김 팀장은 "HBM은 2년 단위로 발전해왔지만 5세대 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 설명했다. 앞서 곽노정 대표가 6세대 제품인 HBM4를 2025년부터 양산하겠다고 밝힌 만큼 다음 제품은 자연스레 2026년부터 생산하겠다는 의미인 셈이다.

SK하이닉스는 기존 MR-MUF 방식을 활용해 HBM4까지 양산하고 7세대 제품은 '하이브리드 본딩' 기술도 적용할 방침이다. 하이브리드 본딩은 칩들의 전기적 연결을 위해 형성한 전도성 돌기인 범프를 없애 더 많은 칩을 쌓는 차세대 기술로 꼽힌다. 이 기술을 활용하면 HBM4E는 D램을 20단까지 쌓을 것으로 전망되고 있다.

김 팀장은 "HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이지만 현재까진 수율이 높지 않다"며 "고객사가 20단 이상 제품을 요구했을 때에는 두께 때문에 새로운 공정을 모색해봐야 할 수 있다"고 밝혔다.