4일 관련 업계에 따르면 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문은 이날 'HBM 개발팀' 신설을 골자로 하는 조직 개편을 실시했다.
또 고성능 D램 설계 전문가 손영수 부사장에게 지휘를 맡겼다.
HBM 개발팀은 HBM3와 HBM3E, 차세대 HBM4 기술 개발에 역량을 쏟는다.
삼성전자는 2015년부터 메모리사업부 내에서 HBM 개발 조직을 운영해왔는데, 이번 개편으로 전담 조직을 강화해 연구에 힘을 싣는다는 복안으로 방침인 것으로 알려졌다.
삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E 12H(12단 적층) D램 개발에 성공한 바 있다. TSV(실리콘 관통 전극) 기술과 열압착 비전도성 접착 필름(Advanced TC NCF) 기술로 24Gb(기가비트) D램 칩을 12단까지 쌓은 제품인데, 높이는 기존 8단 제품과 동일하다. 현재 HBM3E 8단과 12단 제품에 대해 엔비디아로부터 품질 테스트를 받고 있다.
아울러 삼성전자는 어드밴스드 패키징(AVP) 개발팀과 설비기술연구소를 재편해 전영현 부회장 직속 조직으로 배치했다. 이를 바탕으로 2.5D, 3D 등 신규 패키지 기술을 확보하고 반도체 공정·설비기술 지원 역량을 강화할 것으로 전해졌다.
삼성전자는 5월21일 전영현 부회장을 반도체 사업 수장으로 교체한 이래 분위기 쇄신에 한창이다. 최근엔 차세대 제품 컨틀롤러 개발·검증 등 800여 개 직무를 대상으로 하는 경력 사원 채용에도 착수했다.
전영현 부회장은 "반도체 사업이 과거와 비교해 매우 어려운 상황이라는 것을 절감하고 있다"면서 "새로운 각오로 상황을 냉철하게 분석해 어려움을 극복할 방안을 찾겠다"고 약속했다.
삼성전자는 오는 5일 2분기 잠정 실적을 발표한다. 사업부별 실적은 공개하지 않지만, 증권가에선 삼성전자가 반도체 부문에서 5조원의 영업이익을 달성했을 것으로 추산한다.
뉴스웨이 차재서 기자
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