삼성전자 "2025년까지 HBM4 개발···HBM3E는 샘플 공급 시작"

황상준 부사장 "AI 시대, 초고성능·초고용량·초저전력 메모리 제공"

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장). 사진=삼성전자 뉴스룸

삼성전자가 6세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4를 2025년 목표로 개발 중이라고 10일 밝혔다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 이날 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "HBM4 제품에 적용하기 위해 고온 열특성에 최적화한 비전도성접착필름(NCF) 조립 기술과 하이브리드본딩(HCB) 기술도 준비 중"이라며 이같이 말해다.

HBM은 차세대 본딩 기술로 기존에 솔더(Solder)를 사용한 방식이 아닌 구리(전도체)와 산화막(절연체)을 이용한 접합 방식이다. D램 여러 개를 수직으로 연결해 쌓아서 데이터 처리 속도를 끌어올린 메모리로, 인공지능(AI) 분야에서 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)에 대거 탑재된다.

황 부사장은 "삼성전자는 HBM2 제품을 거쳐 HBM2E, HBM3를 양산하고 있으며 9.8Gbps(초당 기가비트) 속도의 HBM3E 제품을 개발해 고객사에 샘플 공급을 시작할 예정"이라고 말했다.

그는 "올해 초에는 첨단 패키지 기술 강화 및 사업부간 시너지를 극대화하기 위해 AVP(Advanced Package)사업팀을 출범했다"며 "HBM과 함께 2.5차원, 3차원 첨단 패키지 솔루션을 포함한 첨단 맞춤형 턴키 패키징 서비스도 제공해 AI·고성능컴퓨팅(HPC) 시대에 최고의 솔루션을 선보일 계획"이라고 덧붙였다.

황 부사장은 "앞으로도 초격차 DNA를 바탕으로 기술적 한계를 극복해 세상에 없는 다양한 메모리 솔루션 제품을 개발해 나갈 것"이라며 "특히 D램 시장의 큰 변곡점이 될 10나노 이하 공정을 기반으로 AI 시대에 세상이 원하는 초고성능, 초고용량, 초저전력 메모리 제품을 제공할 계획"이라고 강조했다.