트렌드포스 "HBM, 올해 말 선단 공정 투입 웨이퍼의 35% 차지"

HBM(고대역폭메모리) 시장을 장악하려는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론의 경쟁이 가열되고 있다. 그래픽=홍연택 기자

삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 등 3대 메모리 반도체 기업이 올해 선단 공정에 투입하는 웨이퍼의 35%를 고대역폭메모리(HBM) 생산에 쓸 것이란 전망이 나왔다.

20일 대만 시장조사업체 트렌드포스는 "3대 D램 업체가 선단 공정을 위해 웨이퍼 투입량을 늘리고 있다"며 "수익성과 수요 증가를 이유로 HBM 생산이 우선시된다"고 밝혔다.

4세대 HBM인 HBM3E 생산이 급증하는 가운데 각사 실리콘관통전극(TSV) 용량을 기준으로 연말까지 HBM은 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%에 이를 것으로 트렌드포스는 예측했다.

다만 HBM에 투입되는 웨이퍼 비중이 높아지면서 선단 공정 기반의 일반 제품 생산은 제한될 수 있다는 게 트렌드포스 설명이다. 증설이 충분하게 이뤄지지 않으면 D램 공급 부족 현상이 일어날 수 있다고 전망했다.

트렌드포스는 "올해 안에 HBM3E가 HBM 시장의 주류로 자리 잡으면서 하반기에 출하량이 집중될 것"이라며 "메모리 성수기와 맞물려 하반기에 DDR5, LPDDR5(X) 등에 대한 시장 수요도 증가할 것"이라고 예상했다.