[컨콜]SK하이닉스, 올해 7조원 설비 투자···3D 낸드 강화

지난해 6조원보다 투자규모 늘려

상반기 48단 3D낸드 비중 확대

하반기부터 72단 생산 본격화

D램은 10나노 3분기부터 양산

SK하이닉스 이천캠퍼스 전경. 사진=SK하이닉스 제공

지난해 4분기 영업이익 ‘1조 클럽’ 복귀에 성공한 SK하이닉스가 올해 7조원에 달하는 사상 최대 규모로 투자 나선다. 이는 총 6조원 가량을 투입한 지난해 투자금액을 크게 웃도는 수준이다.

투자의 방향은 3D 낸드플래시 생산능력을 위한 낸드플래시 투자를 중심으로 하며 D램 기술력 강화에도 자금을 투입해 장기적 경쟁력을 강화한다는 복안이다.

SK하이닉스는 26일 지난해 4분기 경영실적 컨퍼런스콜에서 “올해 장기 경쟁력 강화를 위해 M14(이천공장) 2층 클린룸 설립을 추진하는 등 7조원의 투자를 계획하고 있다”며 “D램 투자는 전년보다는 감소하고 낸드 투자 규모는 3D낸드 생산능력을 전년보다 늘릴 예정이다”고 말했다.

3D낸드플래시(3차원 수직구조 낸드플래시 메모리)는 올해 수요가 점차 증가해 올 하반기부터 대폭 확대될 것으로 전망했다. SK하이닉스는 “지난해 3D낸드 비중은 패키지 기준으로 약 10%를 달성했다”며 “올해엔 48단 비중을 점차 확대하고 하반기부터 72단 제품을 생산하면서 오는 4분기에는 3D패키지 생산량이 2D 비중을 넘어설 것”이라고 말했다.

현재 SK하이닉스는 올해 상반기 3D 낸드플래시 양산을 위해 M14 2층 클린룸(청정시설) 공사를 진행하고 있다.

회사 측은 “3D 낸드 설비 확충은 M14 2층 클린룸이 1분기 중에 완료되면 1분기 말부터 장비 반입 시작하고, 장비 설치와 웨이퍼 생산 기간 등을 감안하면 6월 이후 생산이 시작될 예정이다”며 “올해 3분기부터 3D 낸드 물량이 본격적으로 증가할 것으로 예상된다”고 말했다.

D램의 경우 올해 1분기 중으로 10나노대(1x나노) 기술 개발을 완료하고 3분기부터 본격 양산에 들어간다. SK하이닉스는 “지난해 연말 20나노 초반대(2z 나노) 비중이 40%를 넘어섰는데 올해는 60%이상 확대할 계획”이라며 “10나노 연말 생산 비중 목표치는 패키지 기준으로 10% 수준”이라고 말했다.

미국 트럼프 대통령 시대가 도래하면서 보호무역주의 확대와 신규 사업자의 증가 등으로 시장 불확실성이 높아질 것이란 우려에 대해서는 “우리가 생산하는 제품은 부품이라 미국 보호무역주의 영향이 비교적 적은 편”며 “현재 미국에 생산시설 짓거나 운영할 계획이 없다”고 밝혔다.

이밖에도 도시바 등 경쟁사인 낸드플래시 회사들과의 파트너십을 맺을 것인지에 대한 질문에 “도시바에 대해서는 현재 상황을 예의주시하고 있다”며 “그 이외에는 아무것도 결정된 바가 없고 이뤄지고 있는 것도 없다”고 말했다.

한편 SK하이닉스는 이날 지난해 4분기 영업이익 1조5361억원(영업이익률 29%)을 기록해 5분기만에 1조원 클럽에 재진입하는데 성공했다. 매출은 분기 기준 사상 최대치인 5조3577억원을 달성했다.