엔비디아 CEO, "삼성 HBM 사용하지 않아"(종합)

젠슨 황 CEO, 'GTC 24' 미디어 간담회에서 언급

메모리 빅3 중 고객사에 엔비디아 없는 건 삼성뿐

분기점은 HBM3E···황 CEO "삼성 HBM 테스트 중"

그래픽=박혜수 기자

삼성전자가 HBM(고대역폭 메모리)을 엔비디아에 공급하지 못했다는 소문이 결국 사실로 드러났다. 그동안 고객사에 대해 함구해 왔던 이유가 밝혀진 셈이다. 현재 글로벌 메모리 3사 중 엔비디아를 고객사로 확보하지 못한 기업은 삼성전자가 유일하다.

20일 연합뉴스에 따르면 젠슨 황 엔비디아 CEO는 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 24' 둘째 날에 전 세계 미디어와 간담회를 갖고 "삼성의 HBM을 사용하고 있나"라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"고 말했다.

엔비디아는 AI 학습에 필수적인 GPU(그래픽저장장치)를 생산하는 기업이다. GPU는 CPU(중앙처리장치)와 달리 여러 명령어를 동시에 처리하는 병렬 방식을 택한다. 반복적인 학습이 필요한 AI 특성상 GPU가 최적의 반도체로 평가되는 이유다. 엔비디아는 GPU 시장을 약 90% 장악하고 있어 AI 반도체 시장을 지배하고 있는 기업으로 평가된다.

HBM은 첨단 패키지 방식인 TSV(실리콘 관통전극) 기술로 여러 개의 D램을 수직으로 연결한 메모리 반도체다. 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올릴 수 있어 AI 시대의 필수재로 꼽힌다. 반도체 업계는 기술 개발에 따라 HBM 명칭을 HBM2(2세대), HBM2E(3세대), HBM3(4세대), HBM3E(5세대) 등으로 지정했다. HBM3의 경우 SK하이닉스가 독점하는 것으로 알려졌다.

삼성전자는 엔비디아 퀄(승인) 테스트를 두 번이나 통과하지 못한 것으로 전해졌다. 업계에선 SK하이닉스와 달리 HBM을 적층할 때 사용하는 비전도성 접착 필름(TC NCF) 공법을 고집한 결과로 보고 있다. NCF는 D램 사이에 필름을 끼워 열압착 본딩으로 칩을 붙이는 방식을 뜻한다. 반면 SK하이닉스는 독자 기술인 액체 형태의 EMC(에폭시 밀봉재)를 사용하는 몰디드 언더필(MR-MUF)을 활용한다.

삼성전자가 SK하이닉스를 따라오지 못하면서 HBM을 MUF로 활용해 양산하려 한다는 보도까지 나온 바 있다. 앞서 로이터는 지난 13일 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 MUF와 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 전했다. 이에 대해 로이터는 "자존심을 버리는 일"이라고 평가하기도 했다. 다만 삼성전자는 "전혀 사실이 아니"라고 반박한 상태다.

삼성전자는 HBM 시장에서만큼은 경쟁사에 항상 뒤쳐져 있다. SK하이닉스는 지난 2013년 12월 세계 최초로 HBM을 개발한 데 이어 2019년에는 업계 최고속 HBM2E를 선보였다. 또 2021년에는 최초로 HBM3를, 지난해 4월에도 12단 적층 HBM3를 가장 먼저 내놓은 바 있다.

올해 분기점은 5세대 HBM인 HBM3E가 될 전망이다. 삼성전자는 NCF를 활용해 업계 최초의 12단을 적층한 HBM3E를 상반기 안에 양산하겠다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난 19일 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 엔비디아에 제품 공급을 시작한다고 전했다. 미국 마이크론도 지난달 HBM3E 대량 생산을 알리며 이를 엔비디아에 공급한다고 발표한 바 있다.

삼성전자가 엔비디아의 HBM3E 공급사 될지 관심사다. 젠슨 황 CEO는 삼성전자의 HBM에 대해 "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 언급했다.