삼성전자 "HBM 출하 전년比 3배↑···2분기엔 '8단 제품' 매출 발생"

사진=강민석 기자 [e-mail]

삼성전자가 '생성형 AI' 수요와 맞물려 올해 HBM(고대역폭 메모리) 공급에 만전을 기함으로써 성장 기조를 지켜내겠다는 포부를 내비쳤다. 특히 D램을 8개 쌓아올린 '8단 HBM3E'가 2분기부터 당장 실적에 기여할 것이란 게 회사 측 전언이다.

삼성전자는 30일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM의 경우 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율) 기준 올해 출하량이 전년 대비 3배 이상 늘어날 것"이라며 "해당 물량과 관련해선 올해 거래처와 협의를 마쳤고, 2025년에도 올해 대비 두 배 이상을 공급할 계획"이라며 이 같이 밝혔다.

관심을 모으는 HBM3E에 대해선 "거래처 타임라인에 맞춰 준비하고 있다"며 "8단 제품은 2분기말부터 매출이 발생한다"고 설명했다.

이어 "시장 내 고용량 HBM 니즈가 급증하는 가운데 '12단 HBM3E'도 2분기 중 양산할 계획"이라며 "하반기엔 12단 제품에 대한 급격한 수요 증가에 적기 대응할 것"이라고 강조했다.

그러면서 "HBM3E 비중이 연말엔 전체 판매량의 66%를 차지할 것"이라고 기대하기도 했다.

삼성전자는 지난달 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 12개까지 쌓은 HBM3E을 개발했다고 발표하는 한편, 양산이 임박했음을 예고한 바 있다. 이는 TSV(실리콘 관통 전극) 기술과 열압착 비전도성 접착 필름(Advanced TC NCF) 기술이 적용된 제품이다. 높이는 기존 8단 제품과 동일하다.

또 삼성전자는 미국에 신설할 파운드리(반도체 수탁생산) 공장과 관련해선 "투자 범위에 R&D와 첨단 패키지 라인이 추가되면서 현지에 400억달러 이상의 투자를 전망하고 있다"면서 "미국 정부와 최종협상이 남아 변동 가능성이 있지만, 파운드리 시장, 수주에 따른 단계적 투자 추진을 고려했을 때 첫 양산 시점은 2026년이 될 것"이라고 귀띔했다.

미국 상무부는 삼성전자에 64억달러(8조9000억원)의 보조금을 할당했다. 삼성전자는 캘리포니아 테일러에 2나노·4나노 파운드리 설비를 구축할 예정이다.

동시에 삼성전자는 생성형 AI의 활성화와 맞물려 메모리 사업이 회복세를 유지할 것으로 내다봤다. 이에 HBM, DDR5, 고용량 SSD 등 서버와 스토리지에 무게를 두고 사업을 운영한다는 복안이다. 2분기엔 서버 D램과 SSD 출하량을 전년 동기 대비 각 50%, 100% 이상 확대할 계획을 갖고 있다.

세부적으로 D램은 1b나노 32Gb(기가비트) DDR5 제품을 빠르게 도입하고, AI 서버와 연계된 고용량 DDR5 모듈 시장에서의 경쟁력을 높일 예정이다. 낸드는 V8 기반 젠(Gen)5 SSD 등을 통해 서버용 고부가가치 수요에 적극 대응한다.

삼성전자 측은 "공급 관점에서 올해 업계 생산 비트그로스는 제한적일 것"이라며 "D램은 생성형 AI 수요 대응으로 선단 공정 생산능력이 HBM에 집중되고, 그 외 선단 제품은 제약이 예상된다"고 언급했다.

이밖에 삼성전자는 디스플레이 부문에서도 경쟁력 유지에 만전을 기한다. 삼성전자 측은 "현재 폴더블 디스플레이와 관련해 주름 개선, 적층구조 최적화, 내구성 강화 등에 힘을 쏟고 있다"면서 "올해 출시할 신제품엔 새로운 기술이 적용되며, 나아가 아웃폴딩, 인앤아웃폴딩 등 신규 폼팩터도 준비하고 있다"고 덧붙였다.