'삼성전자 반도체 기술 中 유출' 혐의 임원·수석연구원 구속

삼성전자가 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로 반도체 전문가인 전직 임원과 수석연구원이 경찰에 함께 구속됐다.

6일 연합뉴스에 따르면 서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자와 옛 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 임원을 지낸 최모(66) 씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오모(60) 씨를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 전날 구속했다.

이들은 삼성전자가 2014년 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 기업인 청두가오전의 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다.

최씨는 중국 청두시에서 투자받아 2021년 청두가오전을 설립했고, 오씨는 청두가오전 임원을 지낸 것으로 알려졌다.

경찰은 첩보를 파악해 수사에 나서 지난해 오씨의 자택을 압수수색하는 과정에서 공정도를 발견해 관련 혐의를 추적해왔다.

앞서 경찰은 지난 1월 오씨에 대해 구속영장을 신청했으나 기각됐다.

경찰은 이후 보완 수사를 거쳐 이번에 구속영장을 재신청했고, 최씨에 대한 영장도 같이 신청했다.

서울중앙지법은 "도망할 염려가 있다"며 영장을 발부했다.

경찰은 구속 수사를 통해 구체적인 유출 경위와 정확한 피해 범위, 이들이 챙긴 경제적 이익 여부 등을 파악할 방침이다.